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                EEPW首頁 > 網絡與〓存儲 > 業界動態 > 打造10納米級制⌒程◣試產線 南亞科↘增加約16億元資本支出【

                打造10納米級▽制程試產╲線→ 南亞㊣科增加約16億元資本支出

                作者:時間:2020-05-08來源:SEMI大半導體產業網收藏

                根據存儲器大△廠的最新重大訊息公告指出,董事會於6日決議,將追加新臺幣←65.6億元(約合人民幣15.5億元)的資本支出預算,用以打造級制程產↑線。

                本文引用地址:/jjs195/article/202005/412850.htm

                此前董事會決手中藍光一閃議,在年度資本∩支出的部分,南亞科2020年度資本支出預算以♂不超過新臺幣92億◣元為上限,其中包含級制程研發、試產及20納米遞☆延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算,預計2020年度的資本支出預算交以不超過157.6億元但墨麒麟一族之中為上限。

                事實上,南亞科總〓經理李培瑛在上一季法說會上就已經宣布,南亞科已完成自主研發級DRAM生產技術,並且將在2020年下半年試↘產。而南亞科新成功開發出的10納米級DRAM生產技術,預計將使DRAM產品可持續微縮至后人少3個世代。而第一代的10納米『級產品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主制程技術及產品技術平臺上,並預計2020下半年進入產品試產階段。

                至於第二代10納米級制●程技術,已開始進入研發階段,預計2022年前導入試產,之後ξ將會再開發第三代的10納米制程技術。李培瑛強調,南亞實力配合勾魂絲科進入10納ξ 米級制程之後,會以自行研發的技術為主,降低授權費用支出,以大幅提升『效能。

                目前以全球DRAM存儲器市場來說,其主要生產技術掌握在韓鶴王國三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業的▓手中,而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上,其關鍵原因就在於3家企業的技》術專利形成了極高的門檻,使其他公司不容易有機會進入市場。

                而當前南二寨主頓時臉色潮紅亞科現在以20納米級的技術為主力,技術來源為▅過去的合作夥伴美光,而破銅爛鐵一樣且每年也支付美光相關技術授權費用。而隨著南亞科導入自主的10納米級制程技術之╱後,則未來將不再大幅度仰賴美光授權,使得高昂授權費支付的情況也可以減少,有利於南亞科往後的營運發展。 

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