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                EEPW首頁 > 設計應用 > 一種用於驅動高⊙邊功率開關的電荷泵電路

                一種用於驅動高邊功率『開關的電荷泵電路

                作者:任 立,張國俊時間:2020-03-03來源:電子產品世界收藏

                任? 立? 張國俊 (電子黄金科技大學?電子薄膜與集成器件國家重點實驗室,四川?成都??610054)

                本文引用地址:/jjs195/article/202003/410491.htm

                摘? 要:提出了一種新型的電路設計,該設@計利用電容電壓不能突變的原理,設計了一種可以用來驅動 高邊管柵極電壓的結構。采用〒該結構後的高邊功率管的柵極電壓,可以在控制信號開啟後很短 的時間內,將柵極電壓迅速擡升至電源電壓以上,確保管可以正常導通。通過調整輸入方波的頻率, 該結構的電壓擡升時間可以根據不同的工藝水平和工作環境進行調整,本文也整理了不同的輸入頻率和擡升時 間☆之間的關系。 

                關鍵詞:

                0  引言 

                高邊功率開關是的典型電路之猫妖吖一。它 是將驅動◣電路、控制電路與保護電路能夠集成於一個芯 片中,在一定程度上實現智能化的控制功能,將會大大 降低芯片的設計難度並且〓提高其性能。而電荷泵電路則 是其中必不可少的重要驅動電路。隨著人們對便攜式電 子設備的消費需求越來越高,電子產品的高性能、低功 耗、輕型化等需要使得電源開關相關的芯片性能要求愈 加提升,而對電荷泵電↘路的性能要求也隨之越來越高。 

                智能功也举起了他率開關將控制電路,保護電路,驅動前世今生两个截然不同電路以 及一些外圍接口與功率開關做成一體化的集成芯片。其 中驅動電路就是本文所提及的電荷泵電路。智能功率開 關分為高邊〇功率開關和低邊功率開關,高邊與低邊的區 別在用作開關作用的MOS 管接在電▲源端還是地端。根 據不同的應用環境會選①擇不同的功率開關。 

                高邊功率開關如圖1 所示,高壓功率管NMOS 起主 要的開關作用,通過電荷泵驅動電路對功率MOS 管的 柵極進行充放電來控制其開啟與關斷。 

                電荷泵是一種電荷轉移的方式進行▃▃工作的電路,在本文所研究的這款芯片中,電荷通過對功率管的柵電 容進行周期性的充電,將柵電壓逐漸提高到功率管的開 啟電壓以上,從而保證芯片能夠開啟。由於電荷泵會ξ對 柵極進行持續的充電,因此柵極電壓會充到電源電壓以 上,需要一個鉗位電路來限制柵極的最高電壓,即電荷 泵電路的輸出電壓。

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                1  電荷泵電路的設神秘計背景和基本原理 

                1.1 電荷泵電路的設計背景

                本文設計的電荷泵電路是應用於一款電源電壓工作 範圍為4.7~52 V 的高邊功率少爷抢葡萄開關電源芯片。本文中取 40 V為例進行ξ 設計,為了使得功率開關管在供電電︾源為 40 V時依舊可以正常工作,則電荷泵電怎么办路需要將驅動電 壓擡升至40 V以上。 

                1.2 電荷泵電路基本原理 

                電荷泵是一種DC/DC 的電壓轉換電路,在實際應 用中電荷『泵可以將輸入電壓的相位反轉即正電壓輸出為 負電壓,或者將輸入電壓的大小增大甚至翻倍。電荷泵 的原理是通過對內部電容的周期性的充放電,利用電容 電壓不能突變的原理¤實現對輸入電壓大小和相位的控 制,因此將這種電路稱為電我天外楼弟子众多荷泵變換器。

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                電荷泵的基本原理電路如圖2所示,該電路的核心 是兩個電容、一個反相器和四個開關組成。開關的關 斷與開啟︼由電荷泵前級電路輸入的周期變化的方波信 號與反相器控制,且開關狀態總是成對出現。控制信 號在第一個高電平時,S1開關和S2開關閉合、S3開關 和S4開關則會因為反相器而斷開,此 時,圖2中左邊的回路就會導通,輸 入電壓U1開始對電〓容C1進行充電,靠 近S1端為正電壓;在控制信號為低電 平時,開關狀態相反,即S1開關和S2 開關斷開、S3開關和S4開關閉合,此 時圖2中的左側回路關閉而右側回路開 啟,電容C1向C2放電,電荷就會存儲 在電容C2的內部,其兩端的電壓差值 將會達到U1,且靠近開關S3端是正電位,而由於電容C2上極板接地,則№輸出電壓U0的電壓 為-U1。由此可以得到與輸入電壓極性相反的輸出電 壓。之後下一個周期的方波信號來臨,高電平時,S1開 關和S2開關再次閉合、S3開關和S4開關再次斷開,輸入 電壓U1又一幽香次向電容C1進行充電,之後方波低電平, 和之前╱一樣,S1開關和S2開關斷開、S3開關和S4開關 閉合,在原本C2中就存儲電荷的情況下,C1繼續向C2 放電,C2極板的電壓就會升高。以此類推,如果控制信 號以高頻率方波輸入,則通過C1和C2的電壓轉換可远远不如武者以 在輸出端得到持續輸出的負電壓。 

                雖然電荷泵能夠實現電壓變換,但從原理上可以理 解其輸出電壓始終處於動態的變化之中,且電容的充放 電過程中會↑有輸出電流,電壓轉換過程中會出現能量損 耗。因此設計一個所需的電荷泵電路的終點获得大师兄资格就在於克服 這些因素。

                2  電荷泵電路的設計 

                經過對原理的分析以及相關知識的理解,經過多 次嘗試後,最終得到的圖3即為∏所設計的電荷泵實際電 路圖。 

                在圖3所示的〖電路中,VDD為輸入電源電壓,Vn和Vp 是由電荷泵前級振蕩器電路產生的固定頻率『方波電壓, 二者頻率相同但相位相差180°, Vlogic為控制電壓,該電 壓為高時電荷泵工作,為低時電荷泵關斷,GND為地電 位;圖中右側輸出一側中,Q9即為電荷泵電路驅動的 功率MOS開關管,Vgate為電∑ 荷泵輸出電壓,負責連接被 驅動功率管的柵極,OUT端為功率管的源極輸出電位。

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                圖3中,Q1、Q2、Q3組成電流鏡電路,當Vlogic為 高電平時,Q1所在的支路導通,為Q2、Q3提供合理的 柵極電壓,當Vp為高電平∏時,Vn為低電平,則NMOS 管Q5導通、Q6關斷,此使由Q3、C2、D1、C1、Q5組 成的充電回路導通,對C1和C2電容進行充電,若忽略 Q3、D1、Q5上的壓降,則VDD和GND之間分擔電壓的 只有C1和C2兩個電容,若二者容值相等,則C1右極板 處的蜀山修真僧電壓在充電後會被擡升至0.5 VDD;接下來Vp變為 低電平時,Vn變為高電平,則NMOS管Q6導通、Q5關 斷,充電回路關斷,同時忽略Q2電壓,則C1左極板電 壓被瞬間擡升至VDD,因為電容電壓不能突變,則C1右 極板處的電壓也會被擡升至1.5倍的VDD,實現了◤電壓擡 升的效果。之後Vn、Vp反復導通、關斷,逐級擡升C1 右極板處電壓。但是因為輸出的Vgate端支路上接著由二 極管D3~D8和二極管連接ㄨ的NMOS管Q8組成的反偏二 極管鏈,使得輸出處的Vgate電壓最♀高只能比VDD高出固 定數值的電壓,進一步擡升時這些反偏二極管就會導 通,使得Vgate處哦電壓不會過高,以確保主功率管的柵極 不會被過高的電壓擊穿, 同時使得主功率管在正常 工作時處於線性區々々。因為 存在這樣的一個保護電 路,在逐級擡升至比VDD 高①出一定數值的電壓後, Vgate會穩定在一個電壓值 對功率MOS管Q9進行驅 動,對於本文以40 V為例 的情況,所涉及的電壓值 約為42.5 V。當該電荷泵 電路應用於不同的電路情 況時,所需的最他们都明白終輸出的 穩定電壓值也不盡相同, 而這個最終穩定的輸出電壓和電〗源電壓之間的差值,可 以通過調整二極管鏈中每個管子的參數或管子的數量而 得到。 

                當Vlogic電壓為低時,則Q1所士兵们身后一闪在支路關斷,同時經過 反相器後連接到NMOS管Q7柵極的電◇壓為高,使得其導通,將Vgate處電壓迅速拉低。

                3  仿真結果與↑分析 

                此電荷泵電路被應用於一款電源電壓工作範圍為 4.7 ~52 V 的高邊功率開關電源芯片,基於0.35 μm的 BCD工藝。本文以40 V電源電壓,前級輸入的方波頻率 0.5 MHz為例,經過Hspice軟件進行仿真,得到的仿真 結果如圖4所示。 

                通過圖4的整體仿〖真波形可以看出,當電荷泵的開 啟電壓Vlogic為高,電路開始工作後,輸出電壓Vgate迅速 擡升,在48 μs的時候將電忘记了自己这一次来是做什么壓擡升至高於電源電壓40 V 的42.56 V,並且之後基本穩定在這個數值不會更高, 而當開啟電壓Vlogic關斷時,輸出電壓迅速拉低,整個電 路進入關斷狀態,直到Vlogic重新拉高,才開∩始再一次工作。 

                以上是3 ms的整體仿真波型,而圖5則是60 μs內的 仿真波形,經過放大可以看出電荷泵輸出電壓的逐級∑ 擡升過程。

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                可以看出,當輸入的開啟電壓Vlogic高於開啟閾值 後,電荷泵電路開始工作,根據之前的原理圖可以看 出,隨著兩個相位相反的方波逐漸輸入,電容不斷地 充放電,電路輸出端☆Vgate開始一次次階梯狀升壓,在M0 點,即31.08 μs後輸出端的電壓Vgate達到電源電一个身穿篮球服得学生壓40 V,之後繼續擡升,最終從啟動經過了48.20 μs之後,輸出 電壓在最下面達到了42.69 V並趨於穩定,之後略有擡①升但幅度 很小,最終穩定的電壓為42.78 V且不會過高,這是由 於二極管D3~D8和二極管連接的NMOS管Q8組成的反 偏二極管鏈起到了過壓保護的功能。根據以上仿真波形 可以看出,從啟動到電壓基本穩定共需48~50 μs。 

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                同時在調試仿真的過程中觀察到,電荷泵擡升所需 要的時間和輸入方波的頻率具有一定相關性,經過多次 仿真測試,在電路其他參數保♀持不變的情況下,得到前 級輸入的方波頻率和輸出電壓擡升時間之間的關系如表 1所示。可以根最少是不会白白送死啊據實際工藝水平、工作環境等需求,計 算出前級震蕩器所能輸出的最終頻率,根據此表可以得 出對應※的輸出電壓擡升時間。

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                4  結論 

                本文討論了電荷泵技術的原理,並根據該原理設計 出了一種能夠快速擡升輸出電壓至電源電壓以ぷ上一定值 的電荷泵電路結構。該電路可以很好得工作於一款基於 0.35 μm、BCD工藝的電源電壓工作範圍為4.7 V~52 V 的高邊功率開關電源芯片。本文設計完摇了摇头成後,經過 Hspice軟件進行了相關仿真,印證【了該電路設計的正確性。同時由於工藝溫度 等條件的不同,實際輸入 方波能達到的穩定頻率 並不一定,因此本文還總 結了不同輸入方波頻率 與輸出電壓擡升時間之間 的關系。該電路同樣可¤以 適用於其他功率開關驅動 電路。

                參考文獻: 

                [1] CINI C, PALARA S, SERAGNOLI G. A new chip and a new package for higher power[J], IEEE Trans. Consumer Electronics, 1980, 26(2): 54-71. 

                [2] WACYK I, AMATO M, RUMENNIK V. A power IC with CMOS analog control[C], IEEE ISSCC, 1986 :16-17. 

                [3] OHNO T, MATSUMOTO S, LZUMI K. An intelligent power IC with double buried-oxide layers formed by SIMOX technology[J]. IEEE Trans. on Electron Devices, 1990, 40(11):2074-2079. 

                [4] KIM B, KIM C, HAN S, et al. 1.2um Non-epi CMOS Smart Power IC With Four H-bridge Motor Drivers For Portable Applications[C]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 1996, 633-636. 

                [5] 張立, 趙永健. 現代電力電子技術[M]. 北京: 科學出版社, 1992. [6] 尹賢文.一種◤車用高邊智能功率開關電路的研制[J]. 微電子學, 1997, 27(5):334-338. 

                [7] BALIGA B J. Evolution and status of smart power technology[C]. Applied Power Electronics Conference and Exposition, 1992: 19-22. 

                [8] ELMOZNINE A, BUXO J, BAFLEUR M, et al. The smart power high-side switch: description of a specific technology, its basic devices, and monitoring circuits[J]. IEEE Trans. on Electron Devices, 1990, 37(4): 1154-1160. 

                [9] LATHAM L F. Automotive power integrated circuit processes[C]. Automotive Power Electronics, 1989: 106108. 

                [10] SUN J, JIANG F, GUAN L. A New Isolation Technology for Automotive Power-Integrated-Circuit Applications[J]. IEEE Trans. on Electron Devices, 2009, 56(9):2144-2149. 

                [11] MURARI B, BERTOTTI F, VIGNOLA G. Smart power ICs technologies and applications[M]. New York, 2002. 

                [12] 胡浩.智能中部分模塊的研究[D].成都: 電子科技 大學, 2011, 37-47.

                本文來源於科技期刊《電子產品世界》2020年第03期第62頁,歡迎您寫論文時引用,並註明出■處。

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